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創(chuàng)見內(nèi)存模組采用頂級顆粒與組件所制而成，通過縝密的實驗室測試，以確保其優(yōu)異效能。
創(chuàng)見內(nèi)存模組采用頂級顆粒與組件所制而成，通過縝密的實驗室測試，以確保其優(yōu)異效能。
| 容量 | DRAM | 創(chuàng)見型號 | 描述 |
| 4GB | 512Mx8 | TS512MSK64W8H | 4GB DDR3L 1866 SO-DIMM 1Rx8 |
| 8GB | 512Mx8 | TS1GSK64W8H | 8GB DDR3L 1866 SO-DIMM 2Rx8 |
| 內(nèi)存模塊 | |
| RAM種類 | DDR3L |
| DIMM種類 | SO-DIMM |
| 頻率 | 1866 |
| 時序 | CL13 |
| 容量 | 4 GB/ 8 GB |
| Rank | 2Rx8/ 1Rx8 |
| DRAM | 512Mx8 |
| 電壓 | 1.35V |
| 電路板高度 | 1.18 吋 |
| Pin | 204 pin |
| 備注 | 產(chǎn)品外觀因型號不同而有所差異，圖片僅供參考，請以實際產(chǎn)品為準(zhǔn)。 |
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