DDR4內(nèi)存的性能和超頻潛力很大程度上取決于DRAM顆粒。三大原廠顆粒各有特點(diǎn)。

一、三星(Samsung)顆粒

B-Die：DDR4時(shí)代的超頻王者，可超至4000MHz+，CL可壓到14以下，但價(jià)格昂貴

C-Die：主流經(jīng)濟(jì)型，超頻能力一般，價(jià)格適中

二、海力士(SK Hynix)顆粒

CJR/DJR：性?xún)r(jià)比高，容易超頻到3600-3800MHz，時(shí)序適中，兼容性好于三星B-Die

JJR：經(jīng)濟(jì)型版本

三、鎂光(Micron)顆粒

E-Die(C9BLH/C9BJZ)：性?xún)r(jià)比均衡，可超頻至3800-4400MHz但時(shí)序較高

Rev.E：超頻潛力不錯(cuò)

四、選型建議

極限超頻：三星B-Die

性?xún)r(jià)比超頻：海力士CJR/DJR或鎂光E-Die

默認(rèn)使用：普通顆粒即可

識(shí)別顆粒：廠家不承諾顆粒不變，可查表或使用Thaiphoon Burner