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閃存顆粒的兩種封裝形式:TSOP和BGA,誰是未來的王者?

返回列表 來源: 發(fā)布日期: 2020.07.28

閃存的封裝方式有哪些?都有什么特點?

大家知道SSD固態(tài)硬盤由三個主要零件組成:Controller控制芯片、NAND Flash閃存顆粒和DRAM緩存。其中DRAM為非必要組成零件,大部分小容量的SSD 固態(tài)硬盤沒有配DRAM緩存;而NAND Flash閃存顆粒是SSD固態(tài)硬盤的必要且關(guān)鍵的組成零件,是數(shù)據(jù)主要存儲的地方,也是大容量SSD的主要成本所在。

那么閃存顆粒的封裝形式都有哪些?有什么不同呢?我們一起來了解一下:
市面上經(jīng)常看到的閃存顆粒主要有:TSOP和BGA兩種封裝形式,前者在顆粒兩側(cè)各有一排引腳,后者則在芯片底部有大量的信號觸點。

TSOP封裝的閃存,其中TSOP是“Thin Small Outline Package”的縮寫,意思是薄型小尺寸封裝。芯片引腳位于顆粒兩側(cè),共有 48 個引腳,貼片采用SMT技術(shù)(表面安裝技術(shù))直接附著在PCB板的表面。

TSOP

BGA封裝的閃存,其中BGA是“Ball Grid Array“的縮寫,即球柵陣列封裝技術(shù),使用球柵陣列觸點通信,觸點位于芯片底部,常見的觸點數(shù)量有 132 個或152個。貼片采用可控塌陷芯片法焊接,可以改善它的電熱性能,組裝可用共面焊接,使其可靠性大大提高。

BGA

然而TSOP封裝的閃存在存儲密度上不及BGA封裝,也不適合高速信號的傳輸。所以使用TSOP封裝閃存顆粒的一般都是比較老的產(chǎn)品,比如PATA、USB2.0、SD2.0和SATA協(xié)議的產(chǎn)品,現(xiàn)在新的高速NVMe固態(tài)硬盤當中,清一色都是BGA封裝的閃存顆粒,這是閃存讀寫帶寬的需要,也是完整利用主控閃存通道的需要。

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工業(yè)存儲產(chǎn)品采用TSOP & BGA共板

對于未來PCIE 4.0 SSD固態(tài)硬盤而言,更高的傳輸速率唯有BGA封裝才能實現(xiàn)。未來在個人消費領(lǐng)域和企業(yè)級領(lǐng)域都將全部采用BGA封裝的閃存,不會再看到TSOP封裝的閃存;而在工業(yè)和軍工存儲領(lǐng)域依然有客戶對小容量SLC閃存或者小容量MLC閃存持續(xù)有需求,對于這些應(yīng)用仍會繼續(xù)使用成熟的TSOP封裝形式,所以工業(yè)和軍工存儲領(lǐng)域?qū)荰SOP和BGA兩種封裝的閃存共存,并且會一直持續(xù)相當長的時間,這也是閃存芯片滿足不同需求的體現(xiàn)。

SSD2

大容量工業(yè)級SSD都采用BGA封裝的閃存


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